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ECH8668
era
1m 0 μ s
ms
0m
n(
Ta
25
° C
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
VDS=10V
ID=7.5A
VGS -- Qg
[Nch]
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ASO
IDP=40A
ID=7.5A
DC
op
t i o
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
10
s
=
[Nch]
PW ≤ 10 μ s
10
s
)
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
0.01
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0.1
7
5
3
2
0.01
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3
5 7 10
2 3
5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--5
Total Gate Charge, Qg -- nC
ID -- VDS
IT12491
[Pch]
--8
ID -- VGS [Pch]
IT14781
VGS= --10V
--7
--4
--6
--3
--2
--1.5V
--5
--4
--3
--2
--1
VGS= --1.2V
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
140
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT13073
[Pch]
Ta=25°C
100
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13074
[Pch]
120
--0.5
--1.8V D
= --1.5
= --2.5
--3.0A
--4.5V D
100
80
60
40
ID= --0.5A
--1.5A
--3.0A
80
60
40
VG S=
V GS
V GS=
,I =
V, I D
,I =
A
A
20
20
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
3
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
IT13075
[Pch]
--10
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13076
[Pch]
2
10
7
5
VDS= --10V
7
5
3
2
--1.0
VGS=0V
-25
3
2
Ta
=-
° C
75
° C
7
5
3
° C
1.0
7
5
3
2
25
2
--0.1
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.01
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Drain Current, ID -- A
IT13077
Diode Forward Voltage, VSD -- V
IT13078
No. A1510-4/8
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